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關(guān)于分體式電磁流量計(jì)不同種類所具有的的特性介紹
點(diǎn)擊次數(shù):2189 發(fā)布時(shí)間:2021-09-09 14:14:26
分體式電磁流量計(jì)是使用四種類型的分體式電磁流量計(jì)開發(fā)的。這是對現(xiàn)場研究的回應(yīng),該研究產(chǎn)生了有關(guān)不同應(yīng)用程序?qū)嶋H需求的數(shù)據(jù),隨后針對每個(gè)問題將適當(dāng)?shù)募夹g(shù)結(jié)合到解決方案中。分體式電磁流量計(jì)中使用的四種流量計(jì)是陶瓷壓阻,粘結(jié)箔應(yīng)變計(jì),硅壓阻和可變電容。其中,沒有一種類型適合所有壓力感測應(yīng)用,但對于任何給定情況,將有一種或多種是理想的。下面概述了每種類型的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
粘結(jié)箔應(yīng)變計(jì)流量計(jì)
粘結(jié)箔應(yīng)變計(jì)壓力傳感技術(shù)的原理是惠斯通電橋,惠斯通電橋是一個(gè)具有四個(gè)分支的電路,每個(gè)分支具有相等的電阻。根據(jù)此平衡電路,四個(gè)金屬箔應(yīng)變計(jì)連接到一個(gè)金屬膜片,每個(gè)鍵充當(dāng)四個(gè)電路分支之一,并在電路中提供可變電阻器的功能,如下圖所示。當(dāng)未施加任何壓力(零)時(shí),膜片不會(huì)偏轉(zhuǎn),并且惠斯通電橋處于平衡狀態(tài),因此沒有測得的電壓輸出。
施加壓力時(shí),膜片呈鐘形。這在應(yīng)變計(jì)上引起應(yīng)變。如圖1所示,一對內(nèi)應(yīng)變片受到壓縮,而另一對應(yīng)變片受到拉力,這種應(yīng)變的變化會(huì)引起電路各臂電阻的相應(yīng)變化,從而導(dǎo)致惠斯通電橋的不穩(wěn)定性和電阻的出現(xiàn)。兩端的可測量電壓即輸出。
顯然,撓度直接取決于所施加的壓力。反過來,這反映為箔規(guī)上的應(yīng)變增加以及電路中的電阻增加。因此,電壓輸出是膜片撓度的函數(shù),Viatran箔應(yīng)變計(jì)通過測量電橋的輸出電壓來評(píng)估施加的壓力。
在目前可用的傳感技術(shù)中,粘合箔應(yīng)變計(jì)非??煽壳覉?jiān)固。它適用于從0-100一直到0-100 000 PSI的*高壓力。它堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)可以承受沖擊,振動(dòng)和壓力循環(huán)。不需要溫度補(bǔ)償,因?yàn)閼?yīng)變計(jì)在結(jié)合之前可以精確匹配。
該技術(shù)的主要缺點(diǎn)是在非常低的壓力(例如低于0-100 PSI)下其性能受損。這是因?yàn)樵谌绱诵〉姆秶鷥?nèi),隔膜必須太薄,以至于應(yīng)變計(jì)足以阻止其響應(yīng)施加的壓力而運(yùn)動(dòng),從而改變輸出。
分體式電磁流量計(jì)基于與上述原理相似的原理,但是利用嵌入在薄硅膜片內(nèi)的硅芯片。這些壓阻芯片即使在低壓下也能產(chǎn)生強(qiáng)信號(hào),因此具有更寬的范圍和更高的靈敏度。
Viatran硅壓阻流量計(jì)已利用該技術(shù)來制造適用于0-2 PSI至0-4 PSI壓力范圍的流量計(jì)。它們也是檢測液位的理想選擇。
硅壓阻流量計(jì)技術(shù)的局限性在于缺乏堅(jiān)固性,這使其無法用于涉及高沖擊,沖擊,壓力循環(huán)或振動(dòng)的應(yīng)用中。與粘合箔應(yīng)變計(jì)相比,可以檢測到的壓力上限也很低,低于400 PSI。*后,與對箔片應(yīng)變計(jì)進(jìn)行相同的匹配相比,對這些流量計(jì)芯片進(jìn)行精確匹配的要求更高,因此必須進(jìn)行電氣補(bǔ)償才能使性能保持在指定的標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)。
陶瓷壓阻流量計(jì)
陶瓷壓阻流量計(jì)基于沉積在陶瓷膜片一側(cè)(稱為參考面)的導(dǎo)電墨水的使用。墨具有惠斯登電橋中的可變電阻器的功能,與*一類流量計(jì)中的箔應(yīng)變計(jì)相對應(yīng)。該技術(shù)可在較低范圍內(nèi)響應(yīng)施加的壓力提供可靠而靈敏的輸出。
但是,陶瓷流量計(jì)比硅流量計(jì)更耐用,可以在0-15 PSI至0-1500 PSI的范圍內(nèi)使用。另一個(gè)好處是陶瓷潤濕部件在不適合金屬潤濕部件的應(yīng)用中具有兼容性,因?yàn)楫?dāng)測量腐蝕性流體的液位時(shí),它們不適合使用。這種類型的流量計(jì)也更具成本效益。
一些限制是顯而易見的,包括由于分子結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致的較低的高壓上限,這意味著陶瓷在超壓時(shí)會(huì)破裂而不會(huì)事先產(chǎn)生任何屈服的跡象。這意味著在陶瓷流量計(jì)上施加過大的壓力會(huì)導(dǎo)致劇烈的爆裂故障,而不是金屬流量計(jì)在類似情況下所經(jīng)歷的逐漸變形。因此,由于其彈性特性,后者可以重復(fù)使用,而過壓陶瓷流量計(jì)則不能重復(fù)使用。因此,在其中發(fā)生沖擊,振動(dòng)或壓力快速波動(dòng)的任何應(yīng)用都不適合使用陶瓷壓阻流量計(jì)。
*后,很難將陶瓷應(yīng)變片匹配和粘接到箔片應(yīng)變片所能達(dá)到的相同精度水平,因此,為了達(dá)到與規(guī)格相同的性能水平,必須進(jìn)行電補(bǔ)償。
可變電容流量計(jì)
可變電容流量計(jì)的工作原理與前三個(gè)不同。這取決于一對平板電容器的電容變化,該變化與施加的壓力成正比。對于在流量計(jì)兩側(cè)都帶有液體的情況(稱為“濕-濕”壓力輸入過程)的情況下,它是測量壓力差的理想選擇。
這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢在低壓范圍內(nèi)的測量靈敏度上非常明顯。Viatran差壓流量計(jì)與Viatran壓力表型和絕對分體式電磁流量計(jì)一樣,都采用了可變電容技術(shù)。
可變分體式電磁流量計(jì)的Viatran系列使用三個(gè)金屬膜片,其中兩個(gè)外部是濕潤的表面,缺少彈簧常數(shù),并充當(dāng)被動(dòng)膜片。它們被硅油填充物隔開,硅油填充物包含兩個(gè)均涂有導(dǎo)電油墨的陶瓷板電*,以及*三個(gè)隔膜,即有源隔膜
內(nèi)膜片在制造過程中被拉緊,因此具有彈簧常數(shù)。它通過液力偶合器通過板狀電*上的小孔與外膜片相連。
*先在內(nèi)部或有源膜片與電*之間產(chǎn)生電荷,從而在每個(gè)電*-內(nèi)部膜片對之間形成兩個(gè)電容。如果外部膜片承受的壓力相同,則內(nèi)部膜片保持不偏斜,從而保持電容相等。
一旦在一側(cè)上施加壓力,則濕膜片將以較大的壓力向一側(cè)偏斜。這導(dǎo)致更多的油被迫通過電*板上的孔,從那一側(cè)撞擊到內(nèi)部隔膜上,從而將外部潤濕隔膜上的壓力傳遞到內(nèi)部隔膜上,從而向相對電*彎曲。
在這種情況下,電容存儲(chǔ)與每個(gè)電*內(nèi)膜片對之間的距離成比例,這導(dǎo)致在內(nèi)膜片與較遠(yuǎn)電*之間產(chǎn)生更高的電容。電容的變化又揭示了施加在兩側(cè)的壓力的差異。
可變分體式電磁流量計(jì)的優(yōu)點(diǎn)眾多且意義重大。*先,該技術(shù)即使在很小的壓力變化(例如1英寸水柱壓力所產(chǎn)生的壓力)下也具有很高的靈敏度。其次,外部無源隔膜通過迫使油通過電*上的小孔而對壓力產(chǎn)生反應(yīng),而這些孔很少,從而防止了有源隔膜嚴(yán)重偏轉(zhuǎn)到故障點(diǎn)的可能性。
因此,Viatran可變流量計(jì)設(shè)計(jì)為能夠敏感地響應(yīng)較小的壓力變化,但又不會(huì)引起隔膜破裂,并且通過簡單地防止作用在主動(dòng)隔膜上的壓力過大,從而避免了經(jīng)常重新校準(zhǔn)的需要。因此,這種類型的流量計(jì)非常適合存在高壓危險(xiǎn)的任何應(yīng)用,否則可能導(dǎo)致流量計(jì)故障。
另一方面,此類技術(shù)的成本高于其他類型的技術(shù),并且與前面討論的三種類型的流量計(jì)相比,可能會(huì)產(chǎn)生更多的噪聲信號(hào)。
在所有四種流量計(jì)類型中,如果輸出信號(hào)處于低電平以達(dá)到高電平輸出(例如0-5伏,0-10伏或4-20 mA),則它們可能會(huì)被放大或調(diào)節(jié)。
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施加壓力時(shí),膜片呈鐘形。這在應(yīng)變計(jì)上引起應(yīng)變。如圖1所示,一對內(nèi)應(yīng)變片受到壓縮,而另一對應(yīng)變片受到拉力,這種應(yīng)變的變化會(huì)引起電路各臂電阻的相應(yīng)變化,從而導(dǎo)致惠斯通電橋的不穩(wěn)定性和電阻的出現(xiàn)。兩端的可測量電壓即輸出。
顯然,撓度直接取決于所施加的壓力。反過來,這反映為箔規(guī)上的應(yīng)變增加以及電路中的電阻增加。因此,電壓輸出是膜片撓度的函數(shù),Viatran箔應(yīng)變計(jì)通過測量電橋的輸出電壓來評(píng)估施加的壓力。
在目前可用的傳感技術(shù)中,粘合箔應(yīng)變計(jì)非??煽壳覉?jiān)固。它適用于從0-100一直到0-100 000 PSI的*高壓力。它堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)可以承受沖擊,振動(dòng)和壓力循環(huán)。不需要溫度補(bǔ)償,因?yàn)閼?yīng)變計(jì)在結(jié)合之前可以精確匹配。
該技術(shù)的主要缺點(diǎn)是在非常低的壓力(例如低于0-100 PSI)下其性能受損。這是因?yàn)樵谌绱诵〉姆秶鷥?nèi),隔膜必須太薄,以至于應(yīng)變計(jì)足以阻止其響應(yīng)施加的壓力而運(yùn)動(dòng),從而改變輸出。
分體式電磁流量計(jì)基于與上述原理相似的原理,但是利用嵌入在薄硅膜片內(nèi)的硅芯片。這些壓阻芯片即使在低壓下也能產(chǎn)生強(qiáng)信號(hào),因此具有更寬的范圍和更高的靈敏度。
Viatran硅壓阻流量計(jì)已利用該技術(shù)來制造適用于0-2 PSI至0-4 PSI壓力范圍的流量計(jì)。它們也是檢測液位的理想選擇。
硅壓阻流量計(jì)技術(shù)的局限性在于缺乏堅(jiān)固性,這使其無法用于涉及高沖擊,沖擊,壓力循環(huán)或振動(dòng)的應(yīng)用中。與粘合箔應(yīng)變計(jì)相比,可以檢測到的壓力上限也很低,低于400 PSI。*后,與對箔片應(yīng)變計(jì)進(jìn)行相同的匹配相比,對這些流量計(jì)芯片進(jìn)行精確匹配的要求更高,因此必須進(jìn)行電氣補(bǔ)償才能使性能保持在指定的標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)。
陶瓷壓阻流量計(jì)
陶瓷壓阻流量計(jì)基于沉積在陶瓷膜片一側(cè)(稱為參考面)的導(dǎo)電墨水的使用。墨具有惠斯登電橋中的可變電阻器的功能,與*一類流量計(jì)中的箔應(yīng)變計(jì)相對應(yīng)。該技術(shù)可在較低范圍內(nèi)響應(yīng)施加的壓力提供可靠而靈敏的輸出。
但是,陶瓷流量計(jì)比硅流量計(jì)更耐用,可以在0-15 PSI至0-1500 PSI的范圍內(nèi)使用。另一個(gè)好處是陶瓷潤濕部件在不適合金屬潤濕部件的應(yīng)用中具有兼容性,因?yàn)楫?dāng)測量腐蝕性流體的液位時(shí),它們不適合使用。這種類型的流量計(jì)也更具成本效益。
一些限制是顯而易見的,包括由于分子結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致的較低的高壓上限,這意味著陶瓷在超壓時(shí)會(huì)破裂而不會(huì)事先產(chǎn)生任何屈服的跡象。這意味著在陶瓷流量計(jì)上施加過大的壓力會(huì)導(dǎo)致劇烈的爆裂故障,而不是金屬流量計(jì)在類似情況下所經(jīng)歷的逐漸變形。因此,由于其彈性特性,后者可以重復(fù)使用,而過壓陶瓷流量計(jì)則不能重復(fù)使用。因此,在其中發(fā)生沖擊,振動(dòng)或壓力快速波動(dòng)的任何應(yīng)用都不適合使用陶瓷壓阻流量計(jì)。
*后,很難將陶瓷應(yīng)變片匹配和粘接到箔片應(yīng)變片所能達(dá)到的相同精度水平,因此,為了達(dá)到與規(guī)格相同的性能水平,必須進(jìn)行電補(bǔ)償。
可變電容流量計(jì)
可變電容流量計(jì)的工作原理與前三個(gè)不同。這取決于一對平板電容器的電容變化,該變化與施加的壓力成正比。對于在流量計(jì)兩側(cè)都帶有液體的情況(稱為“濕-濕”壓力輸入過程)的情況下,它是測量壓力差的理想選擇。
這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢在低壓范圍內(nèi)的測量靈敏度上非常明顯。Viatran差壓流量計(jì)與Viatran壓力表型和絕對分體式電磁流量計(jì)一樣,都采用了可變電容技術(shù)。
可變分體式電磁流量計(jì)的Viatran系列使用三個(gè)金屬膜片,其中兩個(gè)外部是濕潤的表面,缺少彈簧常數(shù),并充當(dāng)被動(dòng)膜片。它們被硅油填充物隔開,硅油填充物包含兩個(gè)均涂有導(dǎo)電油墨的陶瓷板電*,以及*三個(gè)隔膜,即有源隔膜
內(nèi)膜片在制造過程中被拉緊,因此具有彈簧常數(shù)。它通過液力偶合器通過板狀電*上的小孔與外膜片相連。
*先在內(nèi)部或有源膜片與電*之間產(chǎn)生電荷,從而在每個(gè)電*-內(nèi)部膜片對之間形成兩個(gè)電容。如果外部膜片承受的壓力相同,則內(nèi)部膜片保持不偏斜,從而保持電容相等。
一旦在一側(cè)上施加壓力,則濕膜片將以較大的壓力向一側(cè)偏斜。這導(dǎo)致更多的油被迫通過電*板上的孔,從那一側(cè)撞擊到內(nèi)部隔膜上,從而將外部潤濕隔膜上的壓力傳遞到內(nèi)部隔膜上,從而向相對電*彎曲。
在這種情況下,電容存儲(chǔ)與每個(gè)電*內(nèi)膜片對之間的距離成比例,這導(dǎo)致在內(nèi)膜片與較遠(yuǎn)電*之間產(chǎn)生更高的電容。電容的變化又揭示了施加在兩側(cè)的壓力的差異。
可變分體式電磁流量計(jì)的優(yōu)點(diǎn)眾多且意義重大。*先,該技術(shù)即使在很小的壓力變化(例如1英寸水柱壓力所產(chǎn)生的壓力)下也具有很高的靈敏度。其次,外部無源隔膜通過迫使油通過電*上的小孔而對壓力產(chǎn)生反應(yīng),而這些孔很少,從而防止了有源隔膜嚴(yán)重偏轉(zhuǎn)到故障點(diǎn)的可能性。
因此,Viatran可變流量計(jì)設(shè)計(jì)為能夠敏感地響應(yīng)較小的壓力變化,但又不會(huì)引起隔膜破裂,并且通過簡單地防止作用在主動(dòng)隔膜上的壓力過大,從而避免了經(jīng)常重新校準(zhǔn)的需要。因此,這種類型的流量計(jì)非常適合存在高壓危險(xiǎn)的任何應(yīng)用,否則可能導(dǎo)致流量計(jì)故障。
另一方面,此類技術(shù)的成本高于其他類型的技術(shù),并且與前面討論的三種類型的流量計(jì)相比,可能會(huì)產(chǎn)生更多的噪聲信號(hào)。
在所有四種流量計(jì)類型中,如果輸出信號(hào)處于低電平以達(dá)到高電平輸出(例如0-5伏,0-10伏或4-20 mA),則它們可能會(huì)被放大或調(diào)節(jié)。
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